硅穿孔工艺设备

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硅穿孔工艺设备
硅穿孔(TSV,Through Silicon Via)：通过芯片和芯片之间，晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的最新技术。能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大，芯片之间的互连线最短，外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能，使目前电子封装技术中最引人注目的新技术。
特点：
1.缩小封装尺寸。
2.高频特性出色，减少传输延时的一种技术。
3.降低芯片功耗，TSV可将硅锗芯片的功耗降低约40%。
4.热膨胀可靠性高。

产品特点：
应用范围：TSV工艺
晶圆尺寸：6英寸，8英寸，12英寸
工艺流程：Insulation, Barrier,Cu seed/fill/Prewet, Anneal
工艺特型：单晶圆面向上湿法工艺
薄膜沉积：Electrografting(eG) and Chemicalgrafting(cG) deposition
反应物管路：CDS（ Chemistry Delivery System)
系统参数：单晶圆腔体工艺（手动，半自动）
多腔体工艺（自动）
--EFEM/FOUP(Robot/Pre-aligner)
--Transfer Robot
--Process cell
--Control unit
--Electric unit
--Chemical supply unit
--CDS

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