紫外激光直写光刻机

这是一个高价值的直写激光光刻机系统，面向大学和研究机构寻求扩大他们的能力。

它用亚微米像素分辨率的405nm激光在光敏抗蚀剂涂层表面大面积书写。你可以写任何东西，
从光掩模到基础科学或应用科学的研究原型，集成相机可以用来调整现有的功能写。

我们对其进行了优化，以便于使用和简单维护，最大限度地利用现成的部件，而不牺牲书写
质量或功能。

直接激光书写光刻

直接激光光刻技术通过消除光掩模生产对外部供应商的依赖，大大降低了微流体、微电子、
微机械和材料科学研究等领域的成本和执行时间。

无掩模光刻技术可以随意进行纳米图案化，而不需要缓慢而昂贵的光掩模。这种便利性对于
研究和快速原型制作特别有用。台式机型，在性能上没有任何妥协，从而补充了现有的优势。

将紫外激光束聚焦到衍射受限的点上，并扫描该点以曝光光刻胶上的任意图案。为了曝光大

型晶圆，精密步进器会移动晶圆，并允许拼接多次曝光。能够在6英寸晶圆上产生小于（CD）
0.5μm的特征。

全新的Gen2 BEAM配件现在将成为所有系统的标准配置。期待高分辨率（<0.5 um）和高速
图案化，以及改进的缝合。

BEAM Gen2 Intro.bmp

Compact

全功能无掩模光刻，比台式电脑还小。

Powerful

亚微米分辨率，单层曝光时间仅需两秒钟

Ultrafast autofocus，
超快自动对焦

当与我们的闭环聚焦光学元件结合时，压电致动器在不到一秒钟的时间内到达焦点。

No-fuss multilayer，多层书写

半自动对齐允许在几分钟内完成多层对齐。

附带的软件可以快速完成任何图案制作工作；只需加载、对齐和曝光即可。导航类似于CNC系统。

在多层曝光过程中，GDS图案被叠加以进行可视化。控制GUI（左窗口）有一个加载的GDS的小地图，
可以一键导航到晶圆上的任何区域。

技术指标

图案结构
倍率	50	20	10	5
最小线宽	0.5	0.8	1.5	3
曝光速度	3	15	60	200
曝光波长	405（标准），365和385（可选）
灰度	256灰阶
样品台
型号	标准版		XL版
样品台重复度	0.1um
自动对焦	压电驱动；快速精确（20nm）聚焦与大多数透明基板兼容
衬底对准	上部对准		上部对准和下部对准
最大直写区域	106*106		150*150
最大样品尺寸	130*130（5英寸兼容）		155*155（6英寸兼容）
设备重量	20		27
设备尺寸	330310340		342385338
软件
多种文件格式	Bmp,png,tiff,dxf,gds多种图案可在软件钟绘制
图案样式	Beam Xplorer
制图	KLayout（最有力），AutoCAD