这是一个高价值的直写激光光刻机系统,面向大学和研究机构寻求扩大他们的能力。
它用亚微米像素分辨率的405nm激光在光敏抗蚀剂涂层表面大面积书写。你可以写任何东西,
从光掩模到基础科学或应用科学的研究原型,集成相机可以用来调整现有的功能写。
我们对其进行了优化,以便于使用和简单维护,最大限度地利用现成的部件,而不牺牲书写
质量或功能。
直接激光书写光刻
直接激光光刻技术通过消除光掩模生产对外部供应商的依赖,大大降低了微流体、微电子、
微机械和材料科学研究等领域的成本和执行时间。
无掩模光刻技术可以随意进行纳米图案化,而不需要缓慢而昂贵的光掩模。这种便利性对于
研究和快速原型制作特别有用。台式机型,在性能上没有任何妥协,从而补充了现有的优势。
将紫外激光束聚焦到衍射受限的点上,并扫描该点以曝光光刻胶上的任意图案。为了曝光大
型晶圆,精密步进器会移动晶圆,并允许拼接多次曝光。能够在6英寸晶圆上产生小于(CD)
0.5μm的特征。
全新的Gen2 BEAM配件现在将成为所有系统的标准配置。期待高分辨率(<0.5 um)和高速
图案化,以及改进的缝合。
Compact
全功能无掩模光刻,比台式电脑还小。
Powerful
亚微米分辨率,单层曝光时间仅需两秒钟
Ultrafast autofocus,
超快自动对焦
当与我们的闭环聚焦光学元件结合时,压电致动器在不到一秒钟的时间内到达焦点。
No-fuss multilayer, 多层书写
半自动对齐允许在几分钟内完成多层对齐。
附带的软件可以快速完成任何图案制作工作;只需加载、对齐和曝光即可。导航类似于CNC系统。
在多层曝光过程中,GDS图案被叠加以进行可视化。控制GUI(左窗口)有一个加载的GDS的小地图,
可以一键导航到晶圆上的任何区域。
技术指标
图案结构 | ||||
倍率 | 50 | 20 | 10 | 5 |
最小线宽 | 0.5 | 0.8 | 1.5 | 3 |
曝光速度 | 3 | 15 | 60 | 200 |
曝光波长 | 405(标准),365和385(可选) | |||
灰度 | 256灰阶 | |||
样品台 | ||||
型号 | 标准版 | XL版 | ||
样品台重复度 | 0.1um | |||
自动对焦 | 压电驱动;快速精确(20nm)聚焦与大多数透明基板兼容 | |||
衬底对准 | 上部对准 | 上部对准和下部对准 | ||
最大直写区域 | 106*106 | 150*150 | ||
最大样品尺寸 | 130*130(5英寸兼容) | 155*155(6英寸兼容) | ||
设备重量 | 20 | 27 | ||
设备尺寸 | 330*310*340 | 342*385*338 | ||
软件 | ||||
多种文件格式 | Bmp,png,tiff,dxf,gds多种图案可在软件钟绘制 | |||
图案样式 | Beam Xplorer | |||
制图 | KLayout(最有力),AutoCAD |
联系人:张垚
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